Stand: 2004-03

Thomas Mertin
Netzwerk- und Elektrotechnik
D-41334 Nettetal

Spezifischer Widerstand in Abhängigkeit von ϑ bei i-Halbleitern

Wenn ϑ ansteigt:
a) Atome bzw. die Ionen im Kristall geraten in Schwingungen
  => behindert die Beweglichkeit der Elektronen und Löcher
=> thermischer Widerstand R_T steigt an

b) Generationseffekt nimmt zu
  Generationseffekt überwiegt den thermisch bedingten Widerstand.
  => ρ sinkt

Einfluß von ϑ auf den spezifischen Widerstand ρ bei dotierten Halbleitern.

I. ϑ << °C bis ϑ = Raumtemperatur
Donatoren bzw. Akzeptoren kaum ionisiert
=> kaum e^- bzw. e⁺ vorhanden
=> ρ relativ groß bei ϑ <
wenn ϑ steigt werden Dotieratome ionisiert
=> ρ sinkt
Bei Raumtemperatur * "Erschöpfungszustand" (alle Störstellen ionisiert)

II. ϑ = Raumtemperatur bis ϑ = ca. 200°C
wenn ϑ steigt:
=> Generationseffekt  (e^- und e⁺)
=> Gitterschwingung nimmt zu
Gitterschwingung können nicht durch den Generationseffekt ausgeglichen werden.
=> ρ steigt an

III. ϑ > 200°C
Generationsvorgang kompensiert bzw. überwiegt Gitterschwingungen
=> ρ sinkt

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